19 ноября 2008
Новые мощные светодиоды Cree в компактном корпусе 3,45х3,45 мм
Мощные светодиоды теперь представлены в миниатюрном корпусе 3,45х3,45х2 мм.
Компания Cree объявила о начале производства новой линейки мощных светодиодов серии XP-E и XP-C в корпусе 3,45х3,45 мм, предназначенных для создания компактных осветительных приборов. Семейства XP-E и XP-C отличаются от предыдущего поколения XR-E и XR-C симметричным корпусом, большим значением угла распределения света и меньшими на 80% габаритными размерами. При этом светодиоды новой серии обеспечивают типовые значения светового потока при токе 350 мА: 107 лм в холодном и 93,9 лм в теплом белом цвете свечения.
Основное назначение – создание компактных высокоэффективных источников света для всех видов освещения: общего, аварийного, промышленного и уличного. Цвет свечения изделий – белый. Светодиоды перекрывают весь диапазон цветовых температур белого цвета – от 2600 до 10 000 K. По оттенкам белого цвета светодиоды делятся на три группы: теплый (2600…3700 K), естественный (3700…5000 K) и холодный (5000…10 000 K) белый цвет.
Эксплуатационные характеристики:
| Наименование | XP-E | XP-C |
| Тепловое сопротивление, переход-точка пайки | 9ºС/Вт | 12ºС/Вт |
| Видимый угол | 115º | 110º |
| Максимальный постоянный прямой ток | 700 мА | 500 мА |
| Минимальный световой поток @ токе 350 мА | 107 лм | 93,9 лм |
| Максимальное обратное напряжение | 5 В | 5 В |
| Типовое прямое напряжение при токе 350 мА | 3,2 В | 3,4 В |
| Максимальное прямое напряжение при токе 350 мА | 3,9 В | 3,9 В |
| Типовое прямое напряжение при токе 700 мА | 3,4 В | 3,5 В |
| Максимальная температура перехода | 150ºС | 150ºС |
| Минимальная рабочая температура корпуса | –40ºС | –40ºС |
| Максимальная рабочая температура корпуса | 85ºС | 85ºС |
| Габаритные размеры корпуса | 3,45х3,45х2 мм | 3,45х3,45х2 мм |
Приобрести новые светодиоды серий XP-E и XP-C можно со склада у официального дистрибутора Cree на территории России и стран СНГ – компании ПРОСОФТ.
Cree
Компания Cree Inc. является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы от Cree на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми изделиями. В настоящее время Cree производит высоковольтные SiC-диоды Шотки по технологии ZERO RECOVERYTM с нулевым временем обратного восстановления, СВЧ-полевые транзисторы, а также кристаллы для светодиодов и полупроводниковых лазеров синего и ультрафиолетового диапазона.
На территории России и стран СНГ приобрести продукцию Cree Inc можно у компании ПРОСОФТ и ее региональных дилеров.